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李力.塑封硅器件中介电薄膜的温湿效应分析[J].实验力学,2007,22(3):285~294
塑封硅器件中介电薄膜的温湿效应分析
Environmental Effects on Dielectric Films in Plastic Encapsulated Silicon Devices
  
DOI:
中文关键词:  铜互连  low-k电介质  微电子封装技术  温湿效应  可靠性
英文关键词:Cu interconnection  low-k dielectrics  microelectronics packaging  temperature and moisture effect  reliability
基金项目:
李力
Cisco Systems, Inc. , San Jose, CA 95134, USA
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中文摘要:
      随着铜互连以及low-k电介质在超大规模集成电路中地广泛使用,low-k电介质的机械完整性及其对互连可靠性变得更加重要。影响介电膜的机械完整性和互连可靠性的因素包括介电膜的工艺制程,芯片与封装材料的相互影响,以及环境温度和湿度的影响。本文研究集中于了解环境温度和湿度对塑封硅器件中介电薄膜的可靠性影响。采用快速温度和湿度实验条件,对塑封硅器件中介电薄膜受水分和温度损伤的敏感性进行了分析。运用商业有限元(FEA)分析软件,对水分在塑封材料和硅器件中的扩散过程进行了建模及仔细分析。并对硅器件周边密封圈的防水分扩散效力进行了研究。通过这一系列实验与分析,对塑封硅器件中介电薄膜的温湿效应有了完整地了解,并提出和建立了相关的物理模型和经验公式。运用这物理模型和经验公式可对在各种使用环境温度和湿度条件下,塑封硅器件中介电薄膜的可靠性进行评估及分析。
英文摘要:
      
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