| 庞琳勇,刘永,Dan,Abrams.用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)[J].实验力学,2007,22(3):295~304 |
| 用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT) |
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| DOI： |
| 中文关键词: 光刻 光刻反向计算技术(ILT) 光学成像校正(OPC) 分辨率增强技术(RET) 超成像极限协助图样(SRAF) 光罩 |
| 英文关键词: |
| 基金项目: |
| 庞琳勇 刘永 Dan Abrams |
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| 中文摘要: |
| 此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术(ILT).在论文中将讨论有关ILT的最新发展,包括在超成像极限协助图样(SRAF)的生成,可增加制程宽容度的ILT, 以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面.从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出,ILT已经不再只是一种用于研究的工具,而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产.在对各个环节优化之后,ILT可以增加制程的宽容度,同时将光罩的成本控制在可以接受的水平. |
| 英文摘要: |
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